参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	NVD6824NLT4Gn:
说明	功率MOSFET   6.73x6.22x2.38mm
起订量	2
最小包	2
现货	399 [库存更新时间：2024-05-05]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	41 A
漏源极电压Vds	100 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	23 m0hms
栅极电压Vgs	2.5V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
引脚数目	3
功率	90W
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
宽度	6.22mm
晶体管材料	Si
典型关断延迟时间	31 ns
典型接通延迟时间	15 ns
封装/外壳	6.73 x 6.22 x 2.38mm